B39182B9473P810

B39182B9473P810 datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

B39182B9473P810 datasheet

Маркировка

B39182B9473P810
Производитель

Epcos
Описание

Epcos B39182B9473P810 Mfr Package Description: ROHS COMPLIANT, SMD, 5 PIN Mounting Type: SURFACE MOUNT Terminal Finish: NICKEL GOLD Physical Dimension: L1.4XB1.1XH0.4 (mm)/L0.055XB0.043XH0.016 (inch) Manufacturer Series: B9473 Operating Temperature-Max: 80 Cel Operating Temperature-Min: -15 Cel Filter Type: SAW FILTER Input Impedance: 50 OHM//8.2 nH Output Impedance: 100 OHM//11 nH Insertion Loss-Max: 3.3 dB Number of Functions: 1 Center Frequency-Nom: 1842 MHz
Количество страниц

8 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet B39182B9473P810.pdf
Файл формата Pdf 106,97 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

B39182B9473P810Онлайн Компоненты

B39182B9473P810ЭИК

B39182B9473P810ТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Экспресс доставка электронных компонентов

Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.